我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾逝世，享寿 89 岁

IT之家 6 同年 24 日消息，之中国生物学院半导体研究成果小组 6 同年 23 日发布讣告，之北京交通大学副院长、之中国生物学院半导体研究成果小组研究成果之中心、不能不知名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，意外于 2022 年 6 同年 23 日 17 时在北京享寿，逝世 89 岁。

IT之家察觉到，之中国生物学院半导体研究成果小组在《梁骏吾副院长生平》之中写到：

之北京交通大学副院长、之中国生物学院半导体研究成果小组研究成果之中心、不能不知名半导体材料学家、不能不最初半导体钨材料的奠基人梁骏吾先生因病医治无效，意外于 2022 年 6 同年 23 日 17 时在北京享寿，逝世 89 岁。半导体研究成果小组和半导体材料生物学领域为得不到这样一位学科泰斗，扼腕痛惜；刘氏大家族为得不到这样一位挚爱亲人，无限悲痛；学生弟子，为得不到这样一位良师，由衷致意。

梁骏吾副院长，1933 年 9 同年 18 日生于荆门武汉。1955 年毕业于武汉大学物理专业课程，1956 年至 1960 年就读于前苏联生物学院莫斯科巴依可夫冶金研究成果小组并获得副学士学位，同年到之中国生物学院半导体研究成果小组工作至今。60 多年来，他为不能不半导体材料领域的学科建设、技术创新、科技产业振兴以及人才培养做出了重要贡献。梁骏吾副院长曾于荣获国家科委成果二等奖和其产品二等奖各 1 次，国家科研人员三等奖 1 次、之中科院重大成果和科研人员特等奖 3 次、二等奖 4 次，静安区科研人员二等奖 1 次等各种科技奖共 20 余次。1997 年当选之北京交通大学副院长。

梁骏吾副院长在半导体材料生物学领域辛勤耕耘、多才多艺颇深，并取得了一系列重要科研人员。上世纪 60 六十年代妥善解决了高纯区烧成钨的关键技术。1964 年制备出室温激光器用 GaAs 液相表征材料。1979 年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、相称缺陷、低碳、可控氧量的优质钨区烧成单晶。80 六十年代首创了掺氮之中子嬗变钨单晶，妥善解决了钨片的相容性和均匀性的问题。90 六十年代初研究成果 MOCVD 植被；也固体量子场论在原子材料，在晶体相容性、电磁耐用性和；也固体结构控制方面，将之中国；也固体量子场论在原子材料推进到实用技术水平。主持“拟将”、“八五”课题钨表征科研人员，收尾了微机控制、光室温、低压钨表征材料植被和设备的研究成果。他还在辐射计用多晶钨的研究成果和科技产业化等方面发挥作用着大力作用。